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【2h】

In depth static and low-frequency noise characterization of n-channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic temperature

机译：低温下SOI衬底上n通道FinFET的深度静态和低频噪声表征

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Achour, H.; Cretu, Bogdan; Routoure, Jean-Marc; Carin, Régis; Talmat, Rachida; Benfdila, A.; Simoen, E.; Claeys, C.;
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年度 2014
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1. In depth static and low-frequency noise characterization of n-channel FinFETs on SOI substrates at cryogenic temperature [J] . H. Achour, B. Cretu, J.-M. Routoure, Solid-State Electronics . 2014,第auga期

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2. Assessment of DC and low-frequency noise performances of triple-gate FinFETs at cryogenic temperatures [J] . Cretu B., Boudier D., Simoen E., Semiconductor science and technology . 2016,第12期

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3. In-depth low frequency noise evaluation of substrate rotation and strain engineering in n-type triple gate SOI FinFETs [J] . Doria Rodrigo Trevisoli, Sodre de Souza Marcio Alves, Martino Joao Antonio, Microelectronic Engineering . 2015,第NOVa1期

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